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CA3083MZ	文件：147.6 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose High Current NPN Transistor Array	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
CA3083MZ	文件：297.03 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose High Current NPN Transistor Array	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
CA3083MZ96	文件：147.6 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose High Current NPN Transistor Array	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
CA3083MZ96	文件：297.03 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose High Current NPN Transistor Array	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BX3083	文件：38.46 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
CA3083	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
CA3083	文件：31.64 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeHighCurrentNPNTransistorArray GeneralPurposeHighCurrentNPNTransistorArray TheCA3083isaversatilearrayoffivehighcurrent(to100mA)NPNtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.Inaddition,twoofthesetransistors(Q1andQ2)arematchedatlowcurrent(i.e.,1mA)forapplicationsinwhichoffsetparamet	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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CA3083M	文件：31.64 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeHighCurrentNPNTransistorArray GeneralPurposeHighCurrentNPNTransistorArray TheCA3083isaversatilearrayoffivehighcurrent(to100mA)NPNtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.Inaddition,twoofthesetransistors(Q1andQ2)arematchedatlowcurrent(i.e.,1mA)forapplicationsinwhichoffsetparamet	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
CA3083Z	文件：147.6 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeHighCurrentNPNTransistorArray	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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CEM3083	文件：389.93 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-13A,RDS(ON)=10mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=15.5mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEM3083A	文件：406.11 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-13A,RDS(ON)=10mW@VGS=-10V. RDS(ON)=15.5mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CN3083	文件：155.18 Kbytes Page：11 Pages	LithiumIonBatteryChargerforSolar-PoweredSystems	CONSONANCEShanghai Consonance Electronics Incorporated 上海如韵上海如韵电子有限公司	CONSONANCE
CT3083	文件：966.44 Kbytes Page：12 Pages	600V/800VZeroCross6-PinPhototriacOptocoupler	CTMICROCT Micro International Corporation CT Micro国际公司	CTMICRO
CT3083	文件：1.11354 Mbytes Page：11 Pages	6PinZeroCrossTRIACDriverCoupler	CTMICROCT Micro International Corporation CT Micro国际公司	CTMICRO
CT3083G	文件：1.11354 Mbytes Page：11 Pages	6PinZeroCrossTRIACDriverCoupler	CTMICROCT Micro International Corporation CT Micro国际公司	CTMICRO
CT3083-G	文件：966.44 Kbytes Page：12 Pages	600V/800VZeroCross6-PinPhototriacOptocoupler	CTMICROCT Micro International Corporation CT Micro国际公司	CTMICRO

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详细参数

型号：
CA3083MZ
功能描述：
两极晶体管 - BJT W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 2-MATCHED 16N
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CA3083MZ供应商更新时间2024-5-14 9:35:00

详细参数

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