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BC556	文件：643.98 Kbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighVoltage ●ComplementtoBC546,BC547,BC548	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BC556	文件：139.18 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications ThesetransistorsaresubdividedintothreegroupsA, BandCaccordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC556	文件：294.96 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC556	文件：205.29 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC556	文件：286.2 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighVoltage ●ComplementtoBC546/BC547/BC548	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BC556	文件：263.8 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. NPNcomplements:BC546andBC547. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC556	文件：213.33 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS PNPSiliconTransistors	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC556	文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS APPLICATION PNPGeneralPurposeTransistors,EspeciallySuitedForUseinDriverStagesofAudioAmplifier,LowNoiseInputStagesofTapeRecorders,HI-FIAmplifiers,SignalProcessingCircuitsofTelevisionReceivers.	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
BC556	文件：100 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC556	文件：215.17 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforuseindriverstageofaudioamplifiers.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
BC556	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	ElektronischeBauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC556	文件：52.43 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlanarEpitaxialTransistor	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC556	文件：92 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistors	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC556	文件：148.14 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePNPTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC556	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC556	文件：108 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES *HighVoltage:BC556,VCEO=-65V	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC556	文件：2.17097 Mbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor PNPGeneralPurposeTransistor	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC556	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposePNPTransistors •Powerdissipation500mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC556	文件：43.71 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingandAmplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC556,VCEO=-65V •Low-Noise:BC559,BC560 •ComplementtoBC546,BC547,BC548,BC549,andBC550	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC556	文件：80.17 Kbytes Page：12 Pages	PNPgeneralpurposetransistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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更多C556A供应商更新时间2024-6-17 16:30:00

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