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BLF147	文件：281.31 Kbytes Page：15 Pages	VHFpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorencapsulatedina4-lead,SOT121Bflangepackagewithaceramiccap.Allleadsareisolatedfromtheflange.Amarkingcode,showinggate-sourcevoltage(VGS)informationisprovidedformatchedpairapplications.Refertot	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF147	文件：147.44 Kbytes Page：4 Pages	VHPpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistordesignedforindustrialandmilitaryapplicationsintheHF/VHFfrequencyrange. Thetransistorisencapsulatedina4-lead,SOT121flangeenvelope,withaceramiccap.Allleadsareisolatedfromtheflange. Amarkingcod	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BLF147	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BUL147	文件：376.47 Kbytes Page：10 Pages	POWERTRANSISTOR8.0AMPERES700VOLTS45and125WATTS SWITCHMODE™ NPNBipolarPowerTransistor ForSwitchingPowerSupplyApplications TheBUL147haveanapplicationsspecificstate–of–the–artdiedesignedforuseinelectricfluorescentlampballaststo180WattsandinSwitchmodePowersuppliesforalltypesofelectronicequipment. Thesehigh–	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUL147	文件：376.47 Kbytes Page：10 Pages	POWERTRANSISTOR8.0AMPERES700VOLTS45and125WATTS SWITCHMODE™ NPNBipolarPowerTransistor ForSwitchingPowerSupplyApplications TheBUL147haveanapplicationsspecificstate–of–the–artdiedesignedforuseinelectricfluorescentlampballaststo180WattsandinSwitchmodePowersuppliesforalltypesofelectronicequipment. T	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BUL147F	文件：376.47 Kbytes Page：10 Pages	POWERTRANSISTOR8.0AMPERES700VOLTS45and125WATTS SWITCHMODE™ NPNBipolarPowerTransistor ForSwitchingPowerSupplyApplications TheBUL147haveanapplicationsspecificstate–of–the–artdiedesignedforuseinelectricfluorescentlampballaststo180WattsandinSwitchmodePowersuppliesforalltypesofelectronicequipment. Thesehigh–	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUL147F	文件：376.47 Kbytes Page：10 Pages	POWERTRANSISTOR8.0AMPERES700VOLTS45and125WATTS SWITCHMODE™ NPNBipolarPowerTransistor ForSwitchingPowerSupplyApplications TheBUL147haveanapplicationsspecificstate–of–the–artdiedesignedforuseinelectricfluorescentlampballaststo180WattsandinSwitchmodePowersuppliesforalltypesofelectronicequipment. T	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BYD147	文件：48.66 Kbytes Page：8 Pages	Ultrafastlow-lossrectifier DESCRIPTION CavityfreecylindricalglassSOD87packagethroughImplotec™(1)technology.Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. FEATURES •Glasspassivated •Highmaximumoperatingtemperature •Lowleakagecurrent •E	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BYD147A	文件：108.81 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTLOW-LOSSRECTIFIER PRV:400Volts Io:2.0Amperes FEATURES: Glasspassivatedjunctionchip Highmaximumoperatingtemperature Lowleakagecurrent Excellentstability Smallestsurfacemountrectifieroutline Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
BYD147ZH	文件：47.21 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastEfficientRectifier FEATURES Halogen-freetype CompliancetoRoHSproduct GPRC(Glasspassivatedrectifierchip)inside Leadlesschipform,noleaddamage Lowpowerloss,Highefficiency Highcurrentcapability *PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 APPLIC	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
C147	文件：119.83 Kbytes Page：2 Pages	TheC147SiliconControlledRectifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
C147	文件：426.95 Kbytes Page：1 Pages	PhaseControlSCRMechanicalSpecifications	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
C147A	文件：119.83 Kbytes Page：2 Pages	TheC147SiliconControlledRectifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
C147A	文件：421.56 Kbytes Page：5 Pages	HIGHPOWERSILICONCONTROLLEDRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
C-147A-DFB-PB-S	文件：601.14 Kbytes Page：5 Pages	CWDMSeriesLaserDiodeModule(18channel)	SOURCE SourceBoost Technologies	SOURCE
C-147A-DFB-PD-S	文件：601.14 Kbytes Page：5 Pages	CWDMSeriesLaserDiodeModule(18channel)	SOURCE SourceBoost Technologies	SOURCE
C-147A-DFB-P-S	文件：601.14 Kbytes Page：5 Pages	CWDMSeriesLaserDiodeModule(18channel)	SOURCE SourceBoost Technologies	SOURCE
C-147A-DFB-RB-S	文件：601.14 Kbytes Page：5 Pages	CWDMSeriesLaserDiodeModule(18channel)	SOURCE SourceBoost Technologies	SOURCE
C-147A-DFB-RD-S	文件：601.14 Kbytes Page：5 Pages	CWDMSeriesLaserDiodeModule(18channel)	SOURCE SourceBoost Technologies	SOURCE
C-147A-DFB-R-S	文件：601.14 Kbytes Page：5 Pages	CWDMSeriesLaserDiodeModule(18channel)	SOURCE SourceBoost Technologies	SOURCE

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详细参数

型号：
C147N
制造商：
Solid State Devices Inc(SSDI)
功能描述：
THYRISTOR800V63ATO65
制造商：
SOLID STATE
功能描述：
THYRISTOR,800V,63A,TO65
功能描述：
THYRISTOR, 800V, TO-65; Peak Repetitive Off-State Voltage,
Vdrm：
800V; Gate Trigger Current Max,
Igt：
150mA; On State RMS Current
IT(rms)：
63A; Peak Non Rep Surge Current Itsm
50Hz：
910A; Holding Current Max
Ih：
250mA; No. of
Pins：
2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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