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C0603C103J5GAC	文件：39.9 Kbytes Page：2 Pages	CERAMICCHIP/STANDARD	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C0603C103J5GAC	文件：61.81 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountCeramicChipCapacitors??Ultra-HighCapacitance,C0GDielectric	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C0603C103J5JACTU	文件：71.46 Kbytes Page：1 Pages	Ceramic,Commercial-(CxxxxC),0.01uF,5,50V,0603,U2J,SMD,MLCC,Ultra-Stable,LowLoss,ClassI	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C0603C103J5R	文件：686.34 Kbytes Page：20 Pages	RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：460.82 Kbytes Page：21 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3004NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforappli	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：413.92 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT) 0--6000MHz,15dB18dBmInGaPHBTGPA TheMMG3009NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：403.42 Kbytes Page：15 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) 0--6000MHz,20dB20.5dBmInGaPHBT TheMMG3013NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfreque	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：416.05 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT) 0--6000MHz,15dB15dBmInGaPHBTGPA TheMMG3011NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：478.77 Kbytes Page：24 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) 400--2400MHz,17.5dB33dBmInGaPHBTGPA TheMMG3006NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom400to2400M	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：456.37 Kbytes Page：20 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3005NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforappli	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：364.07 Kbytes Page：15 Pages	HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT) 0-6000MHz,15dB17dBmInGaPHBT TheMMG3010NT1isaGeneralPurposeAmplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6000MH	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：438.37 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT) 0--6000MHz,19dB16dBmInGaPHBTGPA TheMMG3007NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：423.6 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) 0-6000MHz,19dB18.5dBmInGaPHBTGPA TheMMG3012NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfreq	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：403.12 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT) 0--6000MHz,18.5dB15dBmInGaPHBTGPA TheMMG3008NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：388.72 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3001NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissu	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：493.8 Kbytes Page：15 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3002NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissu	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	GalliumArsenideCATVIntegratedAmplifierModule Description •24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features •Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •Built-inInputDiodeProtection •GaAsFETTransistorTechnology •Unconditi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：640.44 Kbytes Page：17 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3003NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurpose	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：389.12 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) 0--6000MHz,15.5dB20.5dBmInGaPHBTGPA TheMMG3015NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0t	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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详细参数

型号：
C0603C103J5RACTU
功能描述：
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 50volts 10000pF X7R 5%
RoHS：
否
制造商：
American Technical Ceramics(ATC)
电容：
10 pF
容差：
1 %
电压额定值：
250 V
温度系数/代码：
C0G(NP0) 外壳代码 -
in：
0505 外壳代码 -
mm：
1414
工作温度范围：
- 55 C to + 125 C
产品：
Low ESR MLCCs
封装：
Reel

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更多C0603C103J5RACTU供应商更新时间2024-6-4 16:04:00

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