选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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十字架NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
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INFINEON |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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INFINEONNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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INFINEONNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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CFY25-23图片
CFY25-23(P)中文资料Alldatasheet PDF
更多CFY25-23制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-23 (P)功能描述:射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
CFY25-23P制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET