| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT143 |
7906200 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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SIEMENSSOT143 |
2870 |
12+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
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INFINEONSOT143 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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TRQUINT |
300000 |
14+ |
高频管 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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INFINEONNA |
3451 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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SIEMENS/西门子NA/ |
7674 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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SIEMENSSOT143 |
2870 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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INFINEONSOT-143 |
9526 |
23+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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STANLEYSMD |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT143 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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INFINEONSOT143 |
29147 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SIEMENS |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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TRIQUINT |
9750 |
2898+ |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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PBFREESOP |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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INFINEONSOT-143SOT-23-4 |
7102 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳兆威电子有限公司7年
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INFINEONSOT143 |
999999 |
23+ |
原装正品现货量大可订货 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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Infineon/英飞凌SOT143 |
235871 |
22+ |
原装正品现货,可开13个点税 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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SIEMENS/西门子SOT-143 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TRIQUINTSOT143 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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INFINEON-英飞凌SOT-143 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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CFY图片
CFY35-23E中文资料Alldatasheet PDF
更多CFY 25-20 (P)功能描述:射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
CFY 25-20P (H)功能描述:射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
CFY 25-20P (P)功能描述:射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
CFY25制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-17制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs FET(Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
CFY25-20制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-20 (S)功能描述:射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
CFY25-20P制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-23制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-23 (P)功能描述:射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
