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BZW50-120B中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
BZW50-120B |
| 参数属性 | BZW50-120B 封装/外壳为R-6，轴向；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为电路保护 > TVS - 二极管；BZW50-120B应用范围：通用；产品描述：TVS DIODE 120VWM 274VC R6 |
| 功能描述 | TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
| 文件大小 |
140.9 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-30 12:53:00 |
产品属性
- 产品编号：
BZW50-120B
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
电路保护 > TVS - 二极管
- 系列：
BZW50, TRANSIL™
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 类型：
齐纳
- 电压 - 反向断态（典型值）：
120V
- 电压 - 击穿（最小值）：
133V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
274V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
219A（8/20µs）
- 功率 - 峰值脉冲：
5000W（5kW）
- 电源线路保护：
无
- 应用：
通用
- 不同频率时电容：
950pF @ 1MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
R-6，轴向
- 供应商器件封装：
R-6
- 描述：
TVS DIODE 120VWM 274VC R6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
R6 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
R6 |
6000 |
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ST(意法) |
23+ |
NA/ |
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ST(意法半导体) |
23+ |
R6 |
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STMICROELECTRONICS |
21+ |
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ST/意法 |
21+ROHS |
R-6 |
10000 |
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23+ |
N/A |
54000 |
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ST |
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DO |
2987 |
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STMicroelectronics |
18+ |
NA |
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STM |
RoHSCompliant |
Ammopack |
1700 |
neworiginal |
询价 |
