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BZW04-13B	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZW04-13B	文件：74.81 Kbytes Page：4 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-41package •400Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •Lowincrementalsurgeresistance •Excellentclampingcapability	MDEMDE semiconductor MDE半导体公司	MDE
BZW04-13B	文件：105.84 Kbytes Page：6 Pages	TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •Sold	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZW04-13B	文件：3.73284 Mbytes Page：3 Pages	Voltage regulator dides FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W(10/1000µs) ■STAND-OFFVOLTAGERANGE:From5.8Vto376V ■UNIANDBIDIRECTIONALTYPES ■LOWCLAMPINGFACTOR ■FASTRESPONSETIME ■ULRECOGNIZED	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
BZW04-13B	文件：3.83248 Mbytes Page：4 Pages	Transient Voltage Suppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresist	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
BZW04-13B	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	Transient Voltage Suppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZW04-13B	文件：124.48 Kbytes Page：6 Pages	TRANSIL DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BZW04-13B	文件：179.34 Kbytes Page：2 Pages	400 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes Features ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-STD-19500 ◇400Wsurgecapabilityat10x1000uswaveform, ◇Excellentclampingcapability ◇Lowimpedancesurgeresistance ◇VeryfastresponsetimeV ◇Typic	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BZW04-13B	文件：130.979 Kbytes Page：6 Pages	TRANSIL DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BZW04-13B	文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages	MINI TYPE LED LAMPS	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司	DBLECTRO
BZW04-13B	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR	MDEMDE semiconductor MDE半导体公司	MDE
BZW04-13B	文件：209.54 Kbytes Page：6 Pages	Transient Voltage Suppressor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BZW04-13B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AC，DO-15，轴向类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO15	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BZW04-13B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO204AL	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
BZW04-13B B0G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO204AL	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
ASTC-04-13	文件：148.95 Kbytes Page：1 Pages	SMTTOROIDINDUCTOR	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
BZG04-13	文件：83.49 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZG04-13	文件：378.43 Kbytes Page：2 Pages	3W13VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
BZG04-13	文件：378.422 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
BZG04-13	文件：31.78 Kbytes Page：7 Pages	Transientvoltagesuppressordiodes DESCRIPTION DO-214ACsurfacemountablepackagewithglasspassivatedchip.Thewell-definedvoid-freecaseisofatransfer-mouldedthermo-settingplastic. FEATURES •Glasspassivated •Highmaximumoperatingtemperature •Lowleakagecurrent •Excellentstability •UL94V-Oclassifiedplas	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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产品属性

产品编号：
BZW04-13B
制造商：
STMicroelectronics
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
BZW04, TRANSIL™
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
12.8V
电压 - 击穿（最小值）：
14.3V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
21.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
19A
功率 - 峰值脉冲：
400W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
600pF @ 1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AC，DO-15，轴向
供应商器件封装：
DO-15（DO-204AC）
描述：
TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO15

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