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BZV85-C6V2分立半导体产品二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BZV85-C6V2 |
参数属性 | BZV85-C6V2 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单;产品描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO41 |
功能描述 | Voltage regulator diodes |
文件大小 |
1.78746 Mbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-27 23:00:00 |
BZV85-C6V2规格书详情
Features
* Total power dissipation: max. 1.3 W
* Working voltage range:
nominal 3.3 V to 75 V (E24 range)
* Small hermetically sealed glass
package
* Tolerance series: approximately ±5
* Non-repetitive peak reverse power
dissipation: max. 60 W
BZV85-C6V2属于分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单。安世半导体(中国)有限公司制造生产的BZV85-C6V2二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
产品属性
- 产品编号:
BZV85-C6V2,133
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)
- 容差:
±5%
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-204AL,DO-41,轴向
- 供应商器件封装:
DO-41
- 描述:
DIODE ZENER 6.2V 1W DO41
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
NXP |
2020+ |
DO-41 |
80000 |
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PHILIPS |
21+ |
35200 |
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询价 | |||
NXP/恩智浦 |
2021/2022+ |
NA |
6000 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
1937+ |
DO-41 |
9852 |
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PHILIPS |
2023+ |
80000 |
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Nexperia |
2023+ |
DO-41 |
700000 |
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NXP(恩智浦) |
22+ |
标准封装 |
6000 |
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NXP(恩智浦) |
23+ |
N/A |
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Nexperia(安世) |
DO-41 |
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