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BZT55C10	文件：82.8 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes Features ●Verysharpreversecharacteristic ●Lowreversecurrentlevel ●Veryhighstability ●Lownoise ●Availablewithtightertolerances Applications Voltagestabilization	TemicTEMIC 杰驰电子	Temic
BZT55C10	文件：79.9 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes Features ●Verysharpreversecharacteristic ●Lowreversecurrentlevel ●Veryhighstability ●Lownoise ●Availablewithtightertolerances Applications Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZT55C10	文件：267.52 Kbytes Page：4 Pages	0.5 Watts Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators Features ♦Zenervoltagerange2.0to75volts ♦Mini-MELFpackage ♦Surfacedevicetypemounting ♦Hermeticallysealedglass ♦CompressionBondedConstruction ♦Allexternalsurfacesarecorrosionresistantandterminalsarereadilysolderable ♦RoHScompliant ♦MatteTin(	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BZT55C10	文件：193.72 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal Zener Diodes FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC APPLICATIONS •Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZT55C10	文件：312.64 Kbytes Page：5 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODES Features •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Availablewithtightertolerances •Veryhighstability •Lownoise Applications •Voltagestabilization	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BZT55C10	文件：130.6 Kbytes Page：3 Pages	500mW, 5 Tolerance SMD Zener Diode Features ♦Zenervoltagerange2.0to75volts ♦Mini-MELFpackage ♦Surfacedevicetypemounting ♦Hermeticallysealedglass ♦CompressionBondedConstruction ♦Allexternalsurfacesarecorrosionresistantandterminalsarereadilysolderable ♦RoHScompliant ♦MatteTin(	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BZT55C10	文件：1.26405 Mbytes Page：3 Pages	ZENER DIODES ■Features ●Lowzenerimpedance ●Lowregulationfactor ●Glasspassivatedjunction ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10Satterminals	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BZT55C10	文件：135.08 Kbytes Page：3 Pages	500 mW Zener Diode 2.0 to 75 Volts Features •Smallsurfacemountingtype •Highreliability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BZT55C10	文件：117.77 Kbytes Page：7 Pages	Small Signal Zener Diodes FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC APPLICATIONS •Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZT55C10	文件：237.64 Kbytes Page：5 Pages	5 Tolerance SMD Zener Diode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BZT55C10	文件：119.78 Kbytes Page：7 Pages	Small Signal Zener Diodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZT55C10 L1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 10V 500MW MINI MELF	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
BZT55C10-GS08	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SOD-80 变式类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 10V 500MW SOD80	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZT55C10-GS18	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOD-80 变式类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 10V 500MW SOD80	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZM55C10	文件：82.7 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZ-Diodes Features ●Savingspace ●Hermeticsealedparts ●FitsontoSOD323/SOT23footprints ●ElectricaldataidenticalwiththedevicesBZT55C.../TZMC... ●Verysharpreversecharacteristic ●Lowreversecurrentlevel ●Veryhighstability ●Lownoise ●Availablewithtightertolerances A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZM55C10	文件：305.98 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountZenerDiodes Features: 500mwPowerDissipation GeneralPurpose *IdealforSurfaceMounttedApplication	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BZM55C10	文件：191.3 Kbytes Page：4 Pages	SILIICONPLANARZENERDIODES SILIICONPLANARZENERDIODES LS-31(MICRO-MELF) GLASSPACKAGE	CDIL CDIL	CDIL
BZM55C10	文件：152.75 Kbytes Page：8 Pages	SmallSignalZenerDiodes Features •Savingspace •Hermeticsealedparts •ElectricaldataidenticalwiththedevicesBZT55..Series/TZM..Series •FitsontoSOD-323/SOD-110footprints •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •Availablewithtightertoleranc	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZM55C10	文件：130.86 Kbytes Page：8 Pages	SmallSignalZenerDiodes Features •Savingspace •Hermeticsealedparts •ElectricaldataidenticalwiththedevicesBZT55..Series/TZM..Series •FitsontoSOD-323/SOD-110footprints •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •Availablewithtightertoleranc	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZM55C10	文件：348.16 Kbytes Page：5 Pages	Zenerdiode Features 1.Savingspace 2.FitsontoSOD323/SOT23footprints 3.MicroMelfpackage Applications Voltagestabilization	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

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详细参数

型号：
BZT55C10
功能描述：
稳压二极管 10 Volt 500mW 5%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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