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SFH4737	文件：1.46176 Mbytes Page：18 Pages	IRBroadbandEmitter Applications -InfraredSpectroscopy Features -Package:diffusesilicone -CorrosionRobustnessClass:3B -ESD:2kVacc.toANSI/ESDA/JEDECJS-001(HBM,Class2) -Spectralrangeofemission:(typ)650...1050nm -Wideviewingangleof130° -Smalloutlinedimensions	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH-4737	文件：1.46176 Mbytes Page：18 Pages	IRBroadbandEmitter Applications -InfraredSpectroscopy Features -Package:diffusesilicone -CorrosionRobustnessClass:3B -ESD:2kVacc.toANSI/ESDA/JEDECJS-001(HBM,Class2) -Spectralrangeofemission:(typ)650...1050nm -Wideviewingangleof130° -Smalloutlinedimensions	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SI4737	文件：1.94276 Mbytes Page：69 Pages	Si47XXANTENNA,SCHEMATIC,LAYOUT,ANDDESIGNGUIDELINES Introduction ThisdocumentprovidesgeneralSi47xxdesignguidelinesandAM/FM/SW/LW/WBantennaselectionswhichincludesschematic,BOM,layoutanddesignchecklist.AllusersshouldfollowtheSi47xxdesignguidelinespresentedinSection2andthenuserscanproceedtotheappropriateantenn	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4737	文件：3.97516 Mbytes Page：302 Pages	Si47XXPROGRAMMINGGUIDE	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
Si4737	文件：10.08153 Mbytes Page：164 Pages	ThankyouforpurchasingtheSiliconLaboratories	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4737	文件：2.08176 Mbytes Page：68 Pages	Si470X/1X/2X/3X/4XEVALUATIONBOARDTESTPROCEDURE Introduction ThepurposeofthisdocumentistodescribethetestproceduresusedinSiliconLaboratoriesfortheSi470x/1x/2x/3x/4xevaluationboards(EVB).ItisalsointendedtoenablecustomerstoexactlyreplicateSiliconLaboratories’testenvironmentsothatvariancesincustomers’andS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
Si4737	文件：194.96 Kbytes Page：24 Pages	BROADCASTMULTI-BANDRADIORECEIVER	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SMA4737	文件：332.95 Kbytes Page：3 Pages	1.0WattsSurfaceMountZenerDiode	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMA4737	文件：318.18 Kbytes Page：4 Pages	1.0WattsSurfaceMountZenerDiode VOLTAGE6.2V~100V ●FEATURES .Forsurfacemountedapplications .1.0Wpowerdissipation .Lowreversecurrent .Ideallysuitedforautomatedassemblyprocesses .Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMA4737A	文件：194.2 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiodes ■Features ●Ptot1.0W ●Vz3.3V-100V ■Applications ●StabilizingVoltage	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
SMA4737A	文件：149.04 Kbytes Page：5 Pages	SMA4728A-SZ1330ASeriesVZ:3.3To330VPD:1W Features ◆Glasspassivatedchip ◆Lowleakage ◆Built-instrainrelief ◆Lowinductance ◆Highpeakreversepowerdissipation ◆Lead-Freecomponent ◆Foruseinstabilizingandclippingwithhighpowerrating	SOCAYSocay Electornics Co., Ltd. 硕凯电子硕凯电子股份有限公司	SOCAY
SMA4737A	文件：164.72 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiodes	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
SMA4737A	文件：151.61 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountZenerDiodes1W SurfaceMountZenerDiodes1W	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
SMA4737A	文件：352.45 Kbytes Page：3 Pages	1WGLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE FEATURES ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpower	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
SMA4737A	文件：149.04 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountZenerDiodes Features ◆Glasspassivatedchip ◆Lowleakage ◆Built-instrainrelief ◆Lowinductance ◆Highpeakreversepowerdissipation ◆Lead-Freecomponent ◆Foruseinstabilizingandclippingwithhighpowerrating	SOCAYSocay Electornics Co., Ltd. 硕凯电子硕凯电子股份有限公司	SOCAY
SMA4737A	文件：2.05377 Mbytes Page：3 Pages	1WSiliconPlanarZenerDiodes FEATURE •Standardzenervoltagetoleranceis±5. •VoltageRange3.3to100Volts •Lowzenerimpedance •Lowregulationfactor •Glasspassivatedjunction •Highreliability	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING

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