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BZG04-33	文件：184.23 Kbytes Page：6 Pages	ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZG04-33	文件：83.49 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZG04-33	文件：31.78 Kbytes Page：7 Pages	Transientvoltagesuppressordiodes DESCRIPTION DO-214ACsurfacemountablepackagewithglasspassivatedchip.Thewell-definedvoid-freecaseisofatransfer-mouldedthermo-settingplastic. FEATURES •Glasspassivated •Highmaximumoperatingtemperature •Lowleakagecurrent •Excellentstability •UL94V-Oclassifiedplas	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BZG04-33	文件：378.43 Kbytes Page：2 Pages	3W33VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
BZG04-33	文件：378.422 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
BZG04-33	文件：248 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZG04-33	文件：375.03 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZG04-33	文件：87.09 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification Features •Glasspassivatedjunction •Highreliability •Stand-offVoltagerange8.2Vto220V •Excellentclampingcabability •Fastresponsetime(typ.≤1psfrom0toVZmin) •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZG04-33	文件：248 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressor Features ◇Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ◇OptimizedforLANprotectionapplications ◇Lowprofilepackagewithbuilt-instrainreliefforsurfacemountedapplications ◇Glasspassivatedjunction ◇Lowincrementalsurgeresistance,excellentcla	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZG04-33	文件：416.9 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZG04-33	文件：307.93 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES FEATURES: Highreliability Stand-offVoltagerange8.2Vto220V Excellentclampingcabability Fastrespontime(typ.≤1psform0toVZmin) Lowleakagecurrent Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
BZG04-33	文件：187 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR Features ●Plasticpackagehasunderwriterslaboratory ●flammabilityclassification94V-0 ●OptimizedforLANprotectionapplications ●Lowprofilepackagewithbuilt-instrainrelieffor ●surfacemountedapplications ●Glasspassivatedjunction ●Lowincrementalsurgeresistance,excelle	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZG04-33-M	文件：94.17 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZW04-33	文件：3.73284 Mbytes Page：3 Pages	Voltageregulatordides FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W(10/1000µs) ■STAND-OFFVOLTAGERANGE:From5.8Vto376V ■UNIANDBIDIRECTIONALTYPES ■LOWCLAMPINGFACTOR ■FASTRESPONSETIME ■ULRECOGNIZED	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
BZW04-33	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZW04-33	文件：209.54 Kbytes Page：6 Pages	TransientVoltageSuppressor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BZW04-33	文件：179.34 Kbytes Page：2 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressorDiodes Features ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-STD-19500 ◇400Wsurgecapabilityat10x1000uswaveform, ◇Excellentclampingcapability ◇Lowimpedancesurgeresistance ◇VeryfastresponsetimeV ◇Typic	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BZW04-33	文件：124.48 Kbytes Page：6 Pages	PEAKPULSEPOWER:400W(10/1000ms) DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BZW04-33	文件：124.48 Kbytes Page：6 Pages	TRANSIL DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BZW04-33	文件：509.04 Kbytes Page：4 Pages	AXIALLEADEDTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

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详细参数

型号：
BZG04-33/TR
制造商：
Vishay Dale
功能描述：
300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BZG04-33/TR供应商更新时间2024-6-8 15:32:00

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