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456	文件：197.24 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯（Littelfuse）力特公司	Littelfuse
456	文件：986.02 Kbytes Page：5 Pages	Built-inHydraulicsTiltUprightDrumtoHorizontal	MORSEMorse Mfg. Co., Inc. 莫尔斯莫尔斯制造公司	MORSE
456.SA	文件：3.67611 Mbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTweezers	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
456HFA	文件：251.95 Kbytes Page：9 Pages	REMOCONMODULE	E-OECOpto Electronics Co,. LTD Opto Electronics Co,. LTD	E-OEC
456VFA	文件：253.32 Kbytes Page：9 Pages	REMOCONMODULE	E-OECOpto Electronics Co,. LTD Opto Electronics Co,. LTD	E-OEC
ACPL-P456	文件：464.94 Kbytes Page：14 Pages	HighCMRIntelligentPowerModuleandGateDriveInterfaceOptocoupler	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
ACPL-P456	文件：328.2 Kbytes Page：12 Pages	ACPL-P456andACPL-W456IntelligentPowerModuleandGateDriveInterfaceOptocouplers Description TheACPL-P456andACPL-W456containaGaAsPLEDopticallycoupledtoanintegratedhighgainphotodetector.Minimizedpropagationdelaydifferencebetweendevicesmaketheseoptocouplersexcellentsolutionsforimprovinginverterefficiencythroughreducedswitchingdeadtime.Specif	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
ACPL-W456	文件：328.2 Kbytes Page：12 Pages	ACPL-P456andACPL-W456IntelligentPowerModuleandGateDriveInterfaceOptocouplers Description TheACPL-P456andACPL-W456containaGaAsPLEDopticallycoupledtoanintegratedhighgainphotodetector.Minimizedpropagationdelaydifferencebetweendevicesmaketheseoptocouplersexcellentsolutionsforimprovinginverterefficiencythroughreducedswitchingdeadtime.Specif	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
AOD456	文件：1.46505 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET FEATURES ●TrenchFETPowerMOSFET ●175°CMaximumJunctionTemperature ●100RgTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD456	文件：198.62 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD456	文件：309.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=25V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD456	文件：123.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD456usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD456isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD456A	文件：108.3 Kbytes Page：5 Pages	PlasticEncapsulatedDevice ProductDescription: TheAOD456AusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD456AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). A	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD456A	文件：916.66 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET FEATURES ●TrenchFETPowerMOSFET ●175°CMaximumJunctionTemperature ●100RgTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD456A	文件：318.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD456AL	文件：108.3 Kbytes Page：5 Pages	PlasticEncapsulatedDevice ProductDescription: TheAOD456AusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD456AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). A	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD456L	文件：123.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD456usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD456isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI456	文件：330.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI456	文件：995.06 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU456	文件：994.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BZA456A/ZG	NXP恩智浦/PHILIPS飞利浦	2008++	SOT-163SOT-23-6	309200	新进库存/原装	询价
深圳市弘为电子有限公司	BZA456A\ZG	PHILIPS	16+	SOT-163	303000	原装现货假一罚十	询价
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更多BZA456A/ZG供应商更新时间2024-6-8 16:30:00

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