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AONS30300	文件：417.03 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET GeneralDescription •TrenchPowerMOSFETtechnology •LowRDS(ON) •HighCurrentCapability •RoHS2.0andHalogen-FreeCompliant Applications •HighperformanceORing,Efuse •Ultrahighcurrentbatterycharge/discharge	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
ASI30300	文件：19.5 Kbytes Page：2 Pages	SILICONHYPERABRUPTVARACTORDIODE DESCRIPTION: TheDKV6534BisdesignedforUHFFilterandOscillatorApplicationsthatRequireOctavetuning. FEATURES: •TR=5.8TypicalatVR=3/20V •Q=300Typicalat3V/50MHz •HermeticDO-7Package	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
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MAZ30300H	文件：103.38 Kbytes Page：7 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Minitypepackage(3-pin) •Allowingtoachieveahigh-densityset •Sharprisingperformance •Widevoltagerange:VZ=2.0Vto36V	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
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MBR30300PT	文件：261.54 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RU30300R	文件：449.84 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
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更多BYT30300R供应商更新时间2024-4-28 15:03:00

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