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BUZ73	文件：187.28 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BUZ73	文件：88.8 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BUZ73	文件：66.46 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching Speed DESCRIPTION •DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) •FastSwitchingSpeed •LowDriveRequirement APPLICATIONS •switchingregulators,switchingconverters •motordrivers,relaydriversand	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ73A	文件：182.45 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BUZ73A	文件：42.66 Kbytes Page：5 Pages	5.8A, 200V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepower fieldeffecttransistordesignedforapplicationssuchas switchingregulators,switchingconverters,motordrivers, relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitching transistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
BUZ73A	文件：86.12 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BUZ73A	文件：1.70753 Mbytes Page：10 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BUZ73A	文件：104.4 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS FEATURE ThisisanN-channelenhancementmodesilicongate powerfieldeffecttransistordesignedforapplicationssuch asswitchingregulators,switchingconverters,motor drivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolar switchingtransistorsrequiringhighspeedand	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BUZ73A	文件：66.5 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching Speed DESCRIPTION •DrainCurrent–ID=5.8A@TC=37℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) •FastSwitchingSpeed •LowDriveRequirement APPLICATIONS •switchingregulators,switchingconverters •motordrivers,relaydriversa	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ73AH	文件：1.70753 Mbytes Page：10 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BUZ73AH	文件：332.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ73AL	文件：176.53 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •LogicLevel	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BUZ73AL	文件：83.26 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •LogicLevel	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BUZ73AL	文件：332.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ73ALH	文件：1.65971 Mbytes Page：10 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •LogicLevel •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BUZ73H	文件：1.65521 Mbytes Page：10 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BUZ73H	文件：333.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ73L	文件：181.56 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •LogicLevel	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BUZ73L	文件：85.85 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •LogicLevel	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BUZ73L	文件：333.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
BUZ73
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 7A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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