选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
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PhilipsSemiconductoNA |
30000 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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NXPNA |
45000 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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NXP-恩智浦TO-220-3 |
78800 |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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NXP USA Inc.TO-220-3 |
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BUT12AI,127图片
BUT12AI,127中文资料Alldatasheet PDF
更多BUT12AI,127功能描述:两极晶体管 - BJT BUT12AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
BUT12AI,127
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 860mA,5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
14 @ 1A,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
TRANS NPN 450V 8A TO220AB