| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
|
 |
FT0O 220 |
162495 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
||
|
深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
|
PH原装TO-220 |
840 |
98+ |
全新原装,价格优势 |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
|
 |
FAIRCHILD/仙童TO 220 |
155668 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
||
|
深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
|
PHILTO-220 |
5000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
POWERTO220 |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
PH原装TO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
PHILIPS/飞利浦TO-220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
|
PHILIPS/飞利浦TO-220 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司6年
留言
|
PHILIPS/飞利浦TO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
FAIRCHILDTO-220 |
8866 |
08+(pbfree) |
||||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
NXPTO-220 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
|||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
NXPTO-220 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
TO-220 |
10000 |
全新 |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
PH |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
PHILIPS/飞利浦TO-220 |
840 |
23+ |
||||
|
深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
|
PHILIPS/飞利浦TO-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
PHILIPSSDM/DIP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
PHILIPS/飞利浦NA/ |
840 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
|
PHILIPS/飞利浦TO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
|
深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
|
ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
BUT12采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BUT12图片
BUT12中文资料Alldatasheet PDF
更多BUT12制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
BUT12A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUT12A/B功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
BUT12AF制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors
BUT12AI制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUT12AI,127功能描述:两极晶体管 - BJT BUT12AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUT12ATU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUT12AX制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
BUT12AX,127功能描述:两极晶体管 - BJT BUT12AX/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUT12F制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors
