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BUL642D2G

High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector?묮mitter and Built?뭝n Efficient Antisaturation Network

TheBUL642D2isastate−of−the−artHighSpeedHighGainBipolarTransistor(H2BIP).Tightdynamiccharacteristicsandlottolotminimumspread(150nsonstoragetime)makeitideallysuitableforLightBallastApplication.Anewdevelopmentprocessbringsavalancheenergycapability,makingthe

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

BUL642D2G

包装:散装 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 440V 3A TO220

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

BUL642D2

HighSpeed,HighGainBipolarNPNTransistorwithIntegratedCollector?묮mitterandBuilt?뭝nEfficientAntisaturationNetwork

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    BUL642D2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    200µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    16 @ 500mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    13MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 440V 3A TO220

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更多BUL642D2G供应商 更新时间2024-6-5 14:58:00