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BUK9880-55	文件：346.58 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 2.Featuresandbenefits •AEC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK9880-55	文件：68.28 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.Itisintendedforuseinautomotiveandgeneralpurp	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUK9880-55A	文件：321.6 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOSlogiclevelFET Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology,featuringverylowon-stateresistance. Productavailability: BUK9880-55AinSOT223(SC-73). Features ■TrenchMOS™technology ■Q101compliant ■150°Crated	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUK9880-55A	文件：96.6 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.ThisproducthasbeendesignedandqualifiedtotheappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. Featuresandbenefits •Lowco	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BUK9880-55A	文件：740.57 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 2.Featuresandbenefits •Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK9880-55CU	文件：346.58 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 2.Featuresandbenefits •AEC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK9880-55CU	文件：740.57 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 2.Featuresandbenefits •Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
BUK9880-55,135
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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