BUK9508中文资料PDF规格书
BUK9508规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in automotive and general purpose switching applications.
产品属性
- 型号：
BUK9508
- 功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
2020+ |
TO-220 |
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NXP |
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TO2203 |
9000 |
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TO220 |
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23+ |
TO-220 |
1 |
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PHI |
23+ |
TO220 |
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NXP |
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TO-220 |
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PH |
08+(pbfree) |
SOT78TO-220AB |
8866 |
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NXP/恩智浦 |
TO-220 |
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