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BUK6213-30C	文件：744.61 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 1.1Generaldescription IntermediatelevelgatedriveN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET) inaplasticpackageusingadvancedTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeen designedandqualifiedtotheappropriateAECQ101standardforuseinhighperformance automotiveappl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK6213-30C	文件：179.94 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BUK6213-30C_15	文件：179.94 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUK6213-30A	文件：285.27 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOSIntermediatelevelFET	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUK6213-30A	文件：352.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUK6213-30A	文件：904.56 Kbytes Page：10 Pages	N-channelTrenchMOSintermediatelevelFET 1.1Generaldescription IntermediatelevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
BUK6213-30C
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
MOSFETN CH30V33ASOT428
功能描述：
MOSFET,N CH,30V,33A,SOT428
功能描述：
MOSFET,N CH,30V,33A,SOT428; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
47A; Drain Source Voltage
Vds：
30V; On Resistance
Rds(on)：
11.9mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
2.3V; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes

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