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TA1900A	文件：7.43326 Mbytes Page：8 Pages	YourBestPartnerForFrequencyDevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TC1900	文件：63.55 Kbytes Page：2 Pages	30KHz-12GHzMMIC	TRANSCOMTranscom, Inc. Transcom, Inc.	TRANSCOM
TC1900	文件：48.28 Kbytes Page：2 Pages	30KHz-12GHzMMIC	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
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TG1900	文件：195.79 Kbytes Page：4 Pages	Ceilingmount	LUMINIS Lumins Inc.	LUMINIS
TRV-1900	文件：46.22 Kbytes Page：2 Pages	ElectricallyinsulatingPVCheatshrinkabletubing	MACOM Tyco Electronics	MACOM
TS1900	文件：235.21 Kbytes Page：5 Pages	UltraLowQuiescentCurrentSmartLoadSwitch GeneralDescription TS1900isahighsideslewratecontrolledsmartloadswitch.TheslewratecontrolinTS1900caneffectivelyavoidthelargein-rushcurrentwhichiscommonlyobservedinnormalpowerswitches.Moreover,thelevelshiftinTS1900allowscustomerstocontrol1.8to6.5Vsystem	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
UM1900	文件：1.28022 Mbytes Page：19 Pages	GettingstartedwiththedigitalMEMSmicrophonesexpansionboardbasedonMP34DT01-MforSTM32Nucleo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
UPA1900	文件：197.08 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1900isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya2.5Vpowersource. TheμPA1900featuresalowon-stateresistanceand excellentswitchingcharacteristics,andissuitablefor applicationssuchaspowerswitchofportablemachineand soon. FEATURES •Canbe	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1900	文件：61.25 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1900isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. TheµPA1900featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbedri	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPA1900TE	文件：61.25 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1900isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. TheµPA1900featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbedri	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPA1900TE	文件：197.08 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1900isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya2.5Vpowersource. TheμPA1900featuresalowon-stateresistanceand excellentswitchingcharacteristics,andissuitablefor applicationssuchaspowerswitchofportablemachineand soon. FEATURES •Canbe	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1900TE	文件：481.35 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
V1900SM	文件：105.75 Kbytes Page：1 Pages	UltraLowphasenoiseVCOwithbuilt-inbufferamplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
V1900TO	文件：105.75 Kbytes Page：1 Pages	UltraLowphasenoiseVCOwithbuilt-inbufferamplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
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详细参数

型号：
BTS1900N-SM
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
SERVICE MANUAL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市赛能新源半导体有限公司	BTS2011DRL	ST	21+	SOP8	16500	进口原装正品现货	询价
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更多BTS1900N-SM供应商更新时间2024-6-10 15:03:00

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