| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9990 |
2339+ |
只有原装 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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INFINEONTO220 |
6000 |
05+ |
原装正品现货 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TO263-3 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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西门子SOT-263 |
6000 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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INFINEONP-TO220-3 |
6000 |
2011+ |
绝对原装自己现货 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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STO220AB |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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STO220AB |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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上海涵恩科技有限公司（原上海凌岳电子）10年
留言
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??? |
3000 |
2023+ |
进口原装现货 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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INFTO220TO263 |
24553 |
08+ |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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STO220AB |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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英飞凌TO-220 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
7000 |
22+ |
原厂原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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STO220AB |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
22+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO220AB |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市九方航科技有限公司3年
留言
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VBSEMITO220AB |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
BTS113采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BTS113图片
BTS113中文资料Alldatasheet PDF
更多BTS113制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:TEMPFET(N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
BTS113A功能描述:MOSFET N-Channel 60V TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BTS113-A功能描述:?N-Channel TEMPFET?
BTS113A E3045A功能描述:MOSFET N-Channel 60V TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BTS113A E3064功能描述:MOSFET N-Channel 60V TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BTS113AE3045A制造商:Infineon Technologies AG
BTS113AE-3045A制造商:Siemens 功能描述:11.5 A, 60 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BTS113AE3045ANTMA1功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BTS113AE3064NKSA1功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BTS113ANKSA1功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
