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BB149	文件：54.67 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB149isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure.Theunmatchedtype,BB159hasthesa	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB149	文件：51.95 Kbytes Page：2 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB149isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure.Theunmatchedtype,BB159hasthesa	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BB149	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BB149A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BB149A	文件：53.76 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB149Aisaplanartechnologyvariablecapacitancediode,inaSOD323verysmallplasticSMDpackage.Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure. FEATURES •Excellentlinearity •Excellentmatchingto2DMA •Ver	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC149	文件：484.99 Kbytes Page：6 Pages	TRANZYSTORYNPN LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC149	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BCR149	文件：448.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR149F	文件：448.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR149T	文件：448.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFQ149	文件：37.97 Kbytes Page：6 Pages	PNP5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT89envelope.ItisintendedforuseinUHFapplicationssuchasbroadbandaerialamplifiers(30to860MHz)andinmicrowaveamplifierssuchasradarsystems,spectrumanalyzers,etc.,usingSMDtechnology.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ149	文件：227.64 Kbytes Page：7 Pages	PNP5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT89envelope.ItisintendedforuseinUHFapplicationssuchasbroadbandaerialamplifiers(30to860MHz)andinmicrowaveamplifierssuchasradarsystems,spectrumanalysers,etc.,usingSMDtechnology.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFQ149	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLC149	文件：51.46 Kbytes Page：1 Pages	BLC149	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BSP149	文件：328.62 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelDepletionmodeHighdynamicresistance) ●VDS200V ●ID0.48A ●RDS(on)3.5Ω ●Nchannel ●Depletionmode ●Highdynamicresistance ●AvailablegroupedinVGS(th)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSP149	文件：206.19 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor Features •N-channel •Depletionmode •dv/dtrated •AvailablewithVGS(th)indicatoronreel •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSP149	文件：226.93 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSP149	文件：3.04397 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES Vos=200V Ib=10A@Ves=10V Rosion)£1.35Q@Ves=10V SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSS149	文件：279.2 Kbytes Page：6 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelDepletionmodeHighdynamicresistance) SIPMOS®Small-SignalTransistor ●VDS200V ●ID0.35A ●RDS(on)3.5Ω ●Nchannel ●Depletionmode ●Highdynamicresistance ●AvailablegroupedinVGS(th)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BT149	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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详细参数

型号：
BT149D AMO
功能描述：
SCR AMMORA SCR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics 最大转折电流
IBO：
480 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
600 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
开启状态：
RMS
正向电压下降：
1.6 V
栅触发电压(Vgt)：
1.3 V
最大栅极峰值反向电压：
5 V
栅触发电流(Igt)：
35 mA 保持电流（Ih
最大值）：
75 mA
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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