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BSZ900N20NS3G中文资料PDF规格书
BSZ900N20NS3G规格书详情
Features
• Optimized for dc-dc conversion
• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Low on-resistance RDS(on)
• 150 °C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target application
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
产品属性
- 型号：
BSZ900N20NS3G
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 15.2A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TSDSON-8 |
8800 |
公司只作原装正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TSDSON-8 |
7188 |
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持 |
询价 | ||
INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||||
INFINEON |
23+ |
TSDSON8 |
25000 |
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
8PowerTDFN |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TSDSON-8 |
10000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TSDSON-8 |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TSDSON-8 |
25900 |
新到现货,只有原装 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2022 |
TSDSON8 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TSDSON8 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 |
