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VP0106	文件：46.74 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0106	文件：659.86 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0106	文件：759.88 Kbytes Page：14 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription TheVP0106low-thresholdEnhancement-mode (normally-off)transistorsuseaverticalDMOSstructure andawell-provensilicon-gatemanufacturingprocess. Thiscombinationproducesadevicewiththepower handlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehigh inputimped	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
VP0106ND	文件：90.22 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelEnhancement-Mode P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
XF0106A-HO	文件：67.38 Kbytes Page：1 Pages	INDUCTOR	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
XF0106C	文件：28.2 Kbytes Page：1 Pages	HIGHQUALITYNETWORKINGTRANSFORMERS	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
XF0106C	文件：28.2 Kbytes Page：1 Pages	HIGHQUALITYNETWORKINGTRANSFORMERS	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
XF0106D	文件：28.2 Kbytes Page：1 Pages	HIGHQUALITYNETWORKINGTRANSFORMERS	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
XF0106D	文件：28.2 Kbytes Page：1 Pages	HIGHQUALITYNETWORKINGTRANSFORMERS	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
XF0106DR	文件：34.87 Kbytes Page：1 Pages	FILTERINDUCTORS	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
XF0106-HMPLC	文件：53.13 Kbytes Page：1 Pages	POWERLINECOUPLINGTRANSFORMER	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
XF0106T	文件：28.2 Kbytes Page：1 Pages	HIGHQUALITYNETWORKINGTRANSFORMERS	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
XF0106T	文件：28.2 Kbytes Page：1 Pages	HIGHQUALITYNETWORKINGTRANSFORMERS	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
XP0106P	文件：79.07 Kbytes Page：1 Pages	ALLDIMENSIONSINMM[INCH]	E-SWITCH E-Switch, Inc.	E-SWITCH
XR0106P	文件：35.2 Kbytes Page：1 Pages	ALLDIMENSIONSINMM[INCH]	E-SWITCH E-Switch, Inc.	E-SWITCH
XT0106P	文件：30.41 Kbytes Page：1 Pages	ALLDIMENSIONSINMM[INCH]	E-SWITCH E-Switch, Inc.	E-SWITCH
ZVN0106A	文件：85.17 Kbytes Page：1 Pages	Drain-sourcevoltage	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
BSTB0106
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
50HZ－Thy
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSTA3026M,CS0,8-02,CS1,2-02,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
G-221
vtest：
100
htest：
999900
atest：
.8
wtest：
0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSTB0106供应商更新时间2024-5-25 13:02:00

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