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BSS138DW-7	文件：105.91 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS138DW-7-F	文件：115.47 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •AvailableinLeadFree/RoHSCompliantVersion(Note4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes5and6)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS138DW-7-F	文件：945.68 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

零件编号

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功能描述

制造商&上传企业

LOGO

BSS138DW-7

文件：105.91 Kbytes

Page：5 Pages

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

BSS138DW-7-F

文件：115.47 Kbytes

Page：5 Pages

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •AvailableinLeadFree/RoHSCompliantVersion(Note4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes5and6)

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

BSS138DW-7-F

文件：945.68 Kbytes

Page：6 Pages

Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
BSS138DW-7
功能描述：
MOSFET 50V 200mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多BSS138DW-7供应商更新时间2024-6-7 18:27:00

详细参数

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