| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
|
7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
||||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT-23 |
8600 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT-23 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT-23 |
18000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT23 |
7906200 |
|||||
|
深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
|
INFINEONSOT-23 |
3600 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
|||
|
深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
|
Infineon英飞凌专营SOT-23 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
||||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT-23 |
3600 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
|
INFINEON/英飞凌货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOT-23 |
||||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
14843 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
||||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
15000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
||||
|
深圳市科达星科技有限公司3年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT-23 |
8080 |
23+ |
原装，可配单 |
|||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
英飞凌|InfineonSOT23 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
|
INFINEON/英飞凌sot-23 |
1800 |
2017+ |
进口原装支持含税 |
|||
|
深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
|
40288 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
||||
|
深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
|
INFINEONSOT-23 |
93000 |
23+ |
一级分销商 |
|||
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
PHI/MOTCAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
|||
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
PHI/MOTCAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
|||
|
深圳市一线半导体有限公司15年
留言
|
MOTCAN3 |
450000 |
BSS11采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSS11图片
BSS119价格
BSS119价格：￥0.3250品牌：INFINEON
生产厂家品牌为INFINEON的BSS119多少钱，想知道BSS119价格是多少？参考价：￥0.3250。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSS119批发价格及采购报价，BSS119销售排行榜及行情走势，BSS119报价。
BSS11资讯
BSS119NH6327XTSA1
新到BSS119NH6327XTSA1原装现货，优势库存!
BSS11中文资料Alldatasheet PDF
更多BSS110功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS110_D27Z功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS119制造商:Rochester Electronics LLC
BSS119 E6433功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS119 E7796功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS119 E7978功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS119 H6327功能描述:MOSFET CHIPLIEFERUNGEN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS119 L6327功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS119 L6433功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 100V .17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS119 L7796功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 100V .17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
高速开关 （SS）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
40V
- 最大电流允许值：
0.2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BSS10,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX92,BSX93,2N2368,2N2369(A),3DG130D,
- 最大耗散功率：
0.36W
- 放大倍数：
- 图片代号：
D-8
- vtest：
40
- htest：
999900
- atest：
.2
- wtest：
.36
