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BSR43中文资料PDF规格书

BSR43
厂商型号

BSR43

参数属性

BSR43 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T\u0026

功能描述

NPN medium power Transistors

文件大小

137.98 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称

BILIN世纪微电子

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-7 22:30:00

晶体管资料

  • 型号:

    BSR43

  • 别名:

    BSR43三极管、BSR43晶体管、BSR43晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_低频或音频放大 (LF)_开关管

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    90V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

    β>100

  • 图片代号:

    H-100

  • vtest:

    90

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0

BSR43规格书详情

FEATURES

● High current(max.1A).

● Low voltage(max.80V).

● Thick and thin-film circuits.

● Telephony and general industrial applications.

● NPN complements:BSR30,BSR31 and BSR33.

产品属性

  • 产品编号:

    BSR43QTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89-3

  • 描述:

    PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T\u0026

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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