| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
7906200 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
4174 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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英飞翎SOT-223 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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INFINEONSOT223 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223-4 |
10613 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
10000 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
9865 |
23+/24+ |
用芯服务,保证每一片都是原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
7906200 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223-4 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOT223 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
2000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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INFINEONSOT223 |
28500 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
深圳市雅芯通科技有限公司
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INFINEON/英飞凌N/A |
5000 |
24+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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INFINEONSOT223 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
BSP125采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSP125图片
BSP125H6327XTSA1价格
BSP125H6327XTSA1价格：￥1.6081品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BSP125H6327XTSA1多少钱，想知道BSP125H6327XTSA1价格是多少？参考价：￥1.6081。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSP125H6327XTSA1批发价格及采购报价，BSP125H6327XTSA1销售排行榜及行情走势，BSP125H6327XTSA1报价。
BSP125H6327XTSA1中文资料Alldatasheet PDF
更多BSP125制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N CH MOSFET, 600V, 120mA, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120mA; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):45ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V ;RoHS Compliant: Yes
BSP125 E6327功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP125 E6433功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP125 L6327功能描述:MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSP125 L6433功能描述:MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSP125E6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP125E6327T制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP125E6433NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP125H6327XTSA1功能描述:MOSFET SIPMOS Pwr 600V 45Ohms 120mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS（导通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel
