| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
1050 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
7906200 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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INENOISOT223 |
45400 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
20000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
15000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7798 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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INFINEONSOT223 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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infineonSOT-223 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEONSOT223 |
18210 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONSOT-223 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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PHILIPSSOT223 |
12300 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOT223 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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SOT-223NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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INFSOT223-3 |
10140 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEONSOT223 |
12000 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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INFINEONSOT223 |
93 |
11+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
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VBSEMI/台湾微碧半导体SOT-223 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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SOT223 |
68900 |
INFINEON |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
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INFINEONSOT223 |
3000 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌NA/ |
4300 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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BSP123中文资料Alldatasheet PDF
更多BSP123制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 100V 0.37A Logic SOT223
BSP123 L6327功能描述:MOSFET N-CH 100 V 0.37 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSP123_10制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP123E6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 0.37A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP123E6327T功能描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP123E6327XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 0.37A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP123L6327HTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 0.37A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT-223
