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BSO612CV	文件：156.12 Kbytes Page：13 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BSO612CVGXUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装描述：MOSFET N/P-CH 8-SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
BSO612CV
功能描述：
MOSFET N/P Channel 60V/-60V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSO612CV供应商更新时间2024-5-31 9:18:00

详细参数

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