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BSM300GA120DN2	文件：246.459 Kbytes Page：11 Pages	英飞凌IGBT BSM300GA120DN2	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSM300GA120DN2	文件：246.54 Kbytes Page：11 Pages	IGBT Power Module	eupeceupec GmbH 欧派克	eupec
BSM300GA120DN2SE3256	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSM300GA120DN2E3166	文件：126.77 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Single switch Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BSM300GA120DN2S	文件：246.54 Kbytes Page：11 Pages	IGBT Power Module	eupeceupec GmbH 欧派克	eupec
BSM300GA120DN2HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 430A 2500W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSM300GA120DN2S2HDLA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：POWER MODULE IGBT 1200V AG-62MM	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
BSM300GA120DN2
功能描述：
IGBT 模块 1200V 300A SINGLE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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更多BSM300GA120DN2供应商更新时间2024-5-17 10:27:00

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