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BSM150GAR120DN2中文资料PDF规格书

BSM150GAR120DN2
厂商型号

BSM150GAR120DN2

功能描述

HighSpeed 2-Technology

文件大小

201.5 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-2 8:00:00

BSM150GAR120DN2规格书详情

• Designed for:

- TV – Horizontal Line Deflection

• 2nd generation HighSpeed-Technology

for 1200V applications offers:

- loss reduction in resonant circuits

- temperature stable behavior

- parallel switching capability

- tight parameter distribution

- Eoff optimized for IC =3A

- simple Gate-Control

• Qualified according to JEDEC1 for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

产品属性

  • 型号:

    BSM150GAR120DN2

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 1200V 150A DUAL

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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