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BSH205G2A	文件：277.15 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSH205G2	文件：743.25 Kbytes Page：16 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Lowon-stateresistance •TrenchMOSFETtechnology •Enhanced	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSH205G2R	文件：1.51392 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMosfet PWMapplications Loadswitch Powermanagement	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC

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BSH205G2A

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20 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFET

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

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20V,P-channelTrenchMOSFET

Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Lowon-stateresistance •TrenchMOSFETtechnology •Enhanced

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

BSH205G2R

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P-ChannelMosfet

PWMapplications Loadswitch Powermanagement

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台舟電子台舟電子股份有限公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
亚泰电子科技有限公司	BSH205G2AR	NEXPERIA	22+	SMD	3000		询价
佛山市芯光达科技有限公司	BSH205G2AR	Nexperia(安世)	23+	TO236AB	5655	进口原装假一赔十可开增值票	询价
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更多BSH205G2A供应商更新时间2024-6-13 8:00:00

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