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BSC060N10NS3	文件：420.02 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor Features •Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications •Optimizedfordc-dcconversion •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Qualifiedac	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BSC060N10NS3

文件：420.02 Kbytes

Page：10 Pages

OptiMOS3 Power-Transistor

Features •Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications •Optimizedfordc-dcconversion •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Qualifiedac

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

BSC060N10NS3G

文件：420.02 Kbytes

Page：10 Pages

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

详细参数

型号：
BSC060N10NS3
功能描述：
MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多BSC060N10NS3供应商更新时间2024-5-24 13:42:00

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