| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宇集芯电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TDSON-8 |
163000 |
22+ |
一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TDSON-8 |
5000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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Infineon/英飞凌QFN8 |
69000 |
23+ |
全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN8 |
109 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳硅原半导体有限公司8年
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INFINEON/英飞凌P-TDSON-8 |
13614 |
2022+ |
全新原装 正品现货 诚信经营 终生质保 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SUPERSO8 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市宇集芯电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TDSON-8 |
163000 |
22+ |
一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TDSON-8 |
5000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOITDSON-8 |
3000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TDSON-8 |
2000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8PowerTDFN |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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InfineonTDFN |
66490 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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InfineonP-TDSON-8 |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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INFPG-TDSON- |
65300 |
20+ |
一级代理/放心购买! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TSOP-8 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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INFINEOSON8 |
2000 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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INFINEONTDSON |
8200 |
22+ |
全新进口原装现货 |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
7000 |
22+ |
原厂原装现货 |
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BSC022N03S中文资料Alldatasheet PDF
更多BSC022N03S功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSC022N03S G功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSC022N03SG功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSC022N03SGAUMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
BSC022N03SGT制造商:Infineon Technologies AG
BSC022N03SGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
BSC022N03ST制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
BSC022N03SZT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
