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BR24T256FVT-W集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BR24T256FVT-W |
参数属性 | BR24T256FVT-W 封装/外壳为8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOPB |
功能描述 | High Reliability Serial EEPROMs |
文件大小 |
430.63 Kbytes |
页面数量 |
22 页 |
生产厂商 | Rohm Semiconductor |
企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-14 20:00:00 |
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General Description
BR24T04-W is a serial EEPROM of I2C BUS Interface Method
Features
■ Completely conforming to the world standard I2C
BUS.
All controls available by 2 ports of serial clock
(SCL) and serial data (SDA)
■ Other devices than EEPROM can be connected to
the same port, saving microcontroller port
■ 1.6V to 5.5V Single Power Source Action most
suitable for battery use
■ 1.6V to 5.5V wide limit of action voltage, possible
FAST MODE 400kHz action
■ Page Write Mode useful for initial value write at
factory shipment
■ Self-timed Programming Cycle
■ Low Current Consumption
■ Prevention of Write Mistake
➤ Write (Write Protect) Function added
➤ Prevention of Write Mistake at Low Voltage
■ More than 1 million write cycles
■ More than 40 years data retention
■ Noise filter built In SCL / SDA terminal
■ Initial delivery state FFh
BR24T256FVT-W属于集成电路(IC) > 存储器。罗姆半导体集团制造生产的BR24T256FVT-W存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
BR24T256FVT-WE2
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
EEPROM
- 技术:
EEPROM
- 存储容量:
256Kb(32K x 8)
- 存储器接口:
I²C
- 写周期时间 - 字,页:
5ms
- 电压 - 供电:
1.6V ~ 5.5V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-TSSOP-B
- 描述:
IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOPB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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