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FDC2114RGHT	文件：1.91006 Mbytes Page：61 Pages	EMI-Resistant28-Bit,12-BitCapacitance-to-DigitalConverter	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
FDC2114RGHT	文件：1.90222 Mbytes Page：60 Pages	Capacitance-to-DigitalConverterforProximityLevelSensingApplications	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
FH2114	文件：86.8 Kbytes Page：1 Pages	RFPowerMOSFETTransistor75W,30-90MHz,24V Features •N-Channelenhancementmodedevice •MeetsCECOMdrawingA3012711 •Designedforfrequencyhoppingsystems •30-90MHz •Lowercapacitancesforbroadbandoperation •Lowernoisefigurethanbipolardevices	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
FH2114	文件：73.69 Kbytes Page：1 Pages	RFMOSFETPowerTransistor,75W,24V30-90MHz Features •N-ChannelEnhancementModeDevice •MeetsCECOMDrawingA3012711 •DesignedforFrequencyHoppingSystems •30-90MHz •LowerCapacitancesforBroadbandOperation •LowerNoiseFigureThanBipolarDevices	MACOM Tyco Electronics	MACOM
FSP2114	文件：334.27 Kbytes Page：8 Pages	CMOSLOWDROPOUTREGULATORS	FOSLINK FOSLINK SEMICONDUCTOR CO.,LTD	FOSLINK
FTD2114K	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GM2114	文件：360.98 Kbytes Page：5 Pages	CMOSPOSITIVEVOLTAGEREGULATOR Description TheGM2114seriesofpositive,linearregulatorsfeaturelowquiescentcurrent(30uAtyp.)withlowdropoutvoltage,makingthemidealforbatteryapplications. TheseruggeddeviceshavebothThermalShutdown,andCurrentFold-backtopreventdevicefailureunderthe“Worst”ofopera	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GRF2114	文件：964.37 Kbytes Page：13 Pages	BroadbandLNA/LinearDriverTuningRange:0.1–2.7GHz Features Reference:5V/135mA/830MHz •Gain:17.9dB •EvalBoardNF:0.93dB •IP1dB:7.4dBm •OP1dB:24.3dBm •IIP3:22.3dBm •OIP3:40.2dBm •FlexibleBiasVoltageandCurrent •Process:GaAspHEMT Applications •SmallCellsandCellularRepeaters •CellularInfrastructure •	GUERRILLAGuerrilla RF, Inc. GUERRILLAGuerrilla RF, Inc.	GUERRILLA
HAT2114R	文件：108.93 Kbytes Page：10 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT2114RJ	文件：108.93 Kbytes Page：10 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HDSP2114S	文件：500.62 Kbytes Page：13 Pages	8-Character5x7DotMatrixParallelInputAlphanumericIntelligentDisplay	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
HDSP2114S	文件：300.68 Kbytes Page：13 Pages	8-Character5x7DotMatrixParallelInputAlphanumericIntelligentDisplay	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
HO-NP-2114	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 莱姆电子（中国）有限公司	LEM
HO-P-2114	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 莱姆电子（中国）有限公司	LEM
HSDP2114S	文件：977.85 Kbytes Page：16 Pages	AlphanumericIntelligentDisplayDevices	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
HUN2114	文件：46.46 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	HSMC 华昕	HSMC
IR2114SS	文件：1.8552 Mbytes Page：21 Pages	HALF-BRIDGEGATEDRIVERIC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IR2114SSPBF	文件：666.46 Kbytes Page：33 Pages	HALF-BRIDGEGATEDRIVERIC Description TheIR211(4,41)/IR221(4,41)gatedriverfamilyissuitedtodriveasinglehalfbridgeinpowerswitchingapplications.Thesedriversprovidehighgatedrivingcapability(2Asource,3Asink)andrequirelowquiescentcurrent,whichallowstheuseofbootstrappowersupplytechnique	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IR2114SSPBF	文件：887.01 Kbytes Page：33 Pages	HALF-BRIDGEGATEDRIVERIC Description TheIR2114/IR2214gatedriverfamilyissuitedtodriveasinglehalfbridgeinpowerswitchingapplications.Thesedriversprovidehighgatedrivingcapability(2Asource,3Asink)andrequirelowquiescentcurrent,whichallowstheuseofbootstrappowersupplytechniquesinmediu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IR2114SSPBF	文件：715.9 Kbytes Page：33 Pages	HALF-BRIDGEGATEDRIVERIC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
BQ2114B-XXX
制造商：
TI
制造商全称：
Texas Instruments
功能描述：
NiCd or NiMH Gas Gauge Module with Charge-Control Output

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞浩芯科技有限公司	BQ21156	TI	21+	VQFN	39890	全新原装现货,假一赔十	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	BQ21156	TI	21+	VQFN	50	原装现货假一赔十	询价
深圳市振芯物联科技有限公司	BQ21156	TI	22+	VQFN	32350	原装正品假一罚十公司现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BQ21156	TI	21+	VQFN	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市盈腾兴电子科技有限公司	BQ21156	TI	21+	VQFN	3200	公司只做原装,诚信经营	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	BQ21156	TI	21+	VQFN	13880	公司只售原装,支持实单	询价
深圳市鹏锦翔科技有限公司一部	BQ21156	TI	21+	VQFN	39890	全新原装现货假一赔十	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	BQ21156	TI	22+	VQFN	8880	原装认准芯泽盛世！	询价
深圳市威雅利发展有限公司	BQ21156	TI	19+	VQFN	50	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市天芯威科技有限公司	BQ21156	TI	22+	VQFN	30000	原装正品	询价

更多BQ2114B-XXX供应商更新时间2024-6-8 10:08:00

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