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F2002	文件：37.9 Kbytes Page：2 Pages	PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet POLYFET	Polyfet
F2002ERW	文件：225.6 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,Compact20W,2:1InputRangeDC/DCConverters KeyFeatures: •20WOutputPower •2:1InputVoltageRange •1,500VDCIsolation •Single&DualOutputs •Efficiencyto86 •Compact1.6x2In.Case •-40°Cto+71°COperation •IndustryStandardPin-Out •LowestCost!!	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
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零件编号

下载&订购

功能描述

制造商&上传企业

LOGO

F2002

文件：37.9 Kbytes

Page：2 Pages

PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR?

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime

Polyfet

POLYFET

Polyfet

F2002ERW

文件：225.6 Kbytes

Page：2 Pages

LowCost,Compact20W,2:1InputRangeDC/DCConverters

KeyFeatures: •20WOutputPower •2:1InputVoltageRange •1,500VDCIsolation •Single&DualOutputs •Efficiencyto86 •Compact1.6x2In.Case •-40°Cto+71°COperation •IndustryStandardPin-Out •LowestCost!!

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

MPD

F2002ERW

文件：217.73 Kbytes

Page：2 Pages

F2000ERWSERIES

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

MPD

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产品属性

产品编号：
BQ2002GSNTR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 电池充电器
包装：
卷带（TR）
电池化学成份：
多化学
电流 - 充电：
恒流，脉冲式
可编程特性：
电压
电池组电压：
2V
电压 - 供电（最高）：
6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC BATT CONTRL MULTI-CHEM 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市能创芯电子科技有限公司	BQ2002GSNTR	TEXAS INSTRUMENTS	23+	SOIC8	9600	全新原装正品!一手货源价格优势!	询价
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