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BMI-S-202-F	文件：79.58 Kbytes Page：2 Pages	ItemBMIS-202StandardSurfaceMountShields-Two-Piece	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BMIS-202-F	文件：567.4 Kbytes Page：3 Pages	MicrowaveAbsorberMicrowaveAbsorber	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BR202	文件：622.67 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor12VSystemIntermediateBus	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
BR202	文件：616.67 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor12VSystemIntermediateBus Description TheBR202andBR203arethintypePOLconvertermoduleswithanindustrystandardexteriorshapeandfootprint,responsivetoveryhighspeedloadsandcompatiblewithceramiccapacitors. Theycanbeusedasdesign-freePOLconvertersfora12Vsystemintermediatebus.Theycan	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
BSH202	文件：138.93 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehaslowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. FEATURES •Lowthresholdvoltage •Fastswitching	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSH202	文件：229.59 Kbytes Page：8 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES •Lowthresholdvoltage •Fastswitching •Logiclevelcompatible •Subminiaturesurfacemount package GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode, logiclevel,field-effectpower transistor.Thisdevicehaslow thresholdvoltageandextremely fastswitchingmakingitide	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSL202SN	文件：248.48 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSR202N	文件：188.18 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •SuperLogiclevel(2.5Vrated) •Avalancherated •FootprintcompatibletoSOT23 •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSR202N	文件：243.46 Kbytes Page：3 Pages	Enhancementmode Features •N-channel •Enhancementmode •SuperLogiclevel(2.5Vrated) •Avalancherated •FootprintcompatibletoSOT23 •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
BSR202N	文件：156.56 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS2Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •SuperLogiclevel(2.5Vrated) •Avalancherated •FootprintcompatibletoSOT23 •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101	TYSEMITaiwan TY Semiconductor Co. , Ltd. 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
BT202	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BTA202X	文件：80.87 Kbytes Page：12 Pages	2AThree-quadranttriacshighcommutation Generaldescription PassivatedhighcommutationtriacsinaSOT186A‘fullpack’plasticpackage.Thesetriacsbalancetherequirementsofcommutationperformanceandgatesensitivity.The‘sensitive’gateEseriesand‘logiclevel’Dseriesareintendedforinterfacingwithlow-powerdrivers,i	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BU202ADL	文件：116.76 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶道深圳市晶道电子有限公司	JINGDAO
BU202DL	文件：116.69 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶道深圳市晶道电子有限公司	JINGDAO
BUJ202A	文件：18.4 Kbytes Page：4 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinTO220ABenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUJ202AX	文件：21.63 Kbytes Page：4 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUP202	文件：381.06 Kbytes Page：7 Pages	IGBT(LowforwardvoltagedropHighswitchingspeedLowtailcurrentLatch-upfree) •Lowforwardvoltagedrop •Highswitchingspeed •Lowtailcurrent •Latch-upfree •Avalancherated	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BUZ202	文件：47.32 Kbytes Page：2 Pages	SOAisPowerDissipationLimited DESCRIPTION •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max) •SOAisPowerDissipationLimited APPLICATIONS designedforapplicationssuchasswitchingregulators, switchingconverters,motordrivers,relaydriversand driversforhighpowerbipolarswitchingtransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ202	文件：182.49 Kbytes Page：6 Pages	MAINRATINGS Description:FREDFETwithfast-recoveryreversediode,N-channel,enhancementmode	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BVND-M202GT	文件：122.26 Kbytes Page：2 Pages	EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric	ABB ABB集团ABB（中国）有限公司	ABB

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详细参数

型号：
BMIS-202-C
功能描述：
EMI 垫圈与接地垫 BMIS-202 Cover .650 x .650
RoHS：
否
制造商：
Gore
长度：
8 mm
宽度：
2.5 mm
厚度：
2.4 mm
产品类型：
Pads

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	BMIS-202-C	LAIRD	17+	原厂原封	5810	只做原装正品	询价
深圳市惊羽科技有限公司	BMIS-202-C	LAIRD-莱尔德	24+25+/26+27+	车规-滤波器	9358	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
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更多BMIS-202-C供应商更新时间2024-5-22 16:59:00

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