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| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
BLS6G2731-6G | LDMOS S-Band radar power transistor Generaldescription 6WLDMOSpowertransistorintendedforradarapplicationsinthe2.7GHzto3.1GHzrange. Featuresandbenefits ■TypicalpulsedRFperformanceatafrequencyof2.7GHzto3.1GHz,asupplyvoltage of32V,anIDqof25mA,atpof100μsandaδof10: ◆Output | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |  | |
BLS6G2731-6G | RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | |
LDMOS S-Band radar power transistor | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 |  | ||
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳：SOT-975C 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：RF FET LDMOS 60V 15DB SOT975C | AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司 |  |
详细参数
- 型号：
BLS6G2731-6G
- 功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl.
- RoHS：
否
- 制造商：
Freescale Semiconductor
- 配置：
Single
- 频率：
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益：
27 dB
- 输出功率：
100 W
- 封装/箱体：
NI-780-4
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
2018+ |
SMD |
1680 |
NXP专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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NA |
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NXP |
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2018+ |
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Ampleon |
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N/A |
23000 |
全新、原装 |
询价 |
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