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BLS6G2731-120

LDMOS S-band radar power transistor

Generaldescription 120WLDMOSpowertransistorintendedforradarapplicationsinthe2.7GHzto3.1GHzrange. Features ■TypicalpulsedRFperformanceatafrequencyof2.7GHzto3.1GHz,asupplyvoltageof32V,anIDqof100mA,atpof100µswithδof10: ♦Outputpower=120W

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

BLS6G2731-120

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

BLS6G2731-120

LDMOS S-band radar power transistor

Generaldescription 120WLDMOSpowertransistorintendedforradarapplicationsinthe2.7GHzto3.1GHzrange. Features TypicalpulsedRFperformanceatafrequencyof2.7GHzto3.1GHz,asupplyvoltageof32V,anIDqof100mA,atpof100swithof10: Outputpower=120W Powe

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆安谱隆半导体(合肥)有限公司

BLS6G2731-120_15

LDMOS S-band radar power transistor

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BLS6G2731-120,112

包装:散装 封装/外壳:SOT-502A 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆安谱隆半导体(合肥)有限公司

详细参数

  • 型号:

    BLS6G2731-120

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

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更多BLS6G2731-120供应商 更新时间2024-5-16 18:15:00