| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市粤华信科技有限公司1年
留言
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BELLING/上海贝岭TO220/TO220F/TO251/TO252 |
40000 |
22+ |
一级代理-原装现货/支持实单 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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NXP/恩智浦SMD |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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NXPSMD |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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NXP/恩智浦NA |
90000 |
23+ |
只做原装 ！全系列供应可长期供货稳定价格优势！ |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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上海贝岭TO-220, TO-220F, TO-251, TO-25 |
150000 |
22+ |
上海贝岭全系列在售,优势渠道 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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LITTELFUSENA |
25060 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Ampleon USA Inc.SOT-502B |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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NXPSMD |
20 |
0803+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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NXPSMD |
1680 |
2018+ |
NXP专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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MINISMD其他电子元 |
17 |
5500 |
一级代理全新原装现货 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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NXP |
7788 |
23+ |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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NXPSOT502 |
8000 |
1436+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Ampleon USA Inc.CDFM2 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳科宇泰科技有限公司4年
留言
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NXP标准封装 |
150000 |
21+ |
进口原装,订货渠道! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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NXP/恩智浦NA |
40 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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AMPLEONSOT922-1 |
3000 |
2021+ |
十年专营原装现货,假一赔十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦NA/ |
2 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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AMPLEONSOT922-1 |
3000 |
21+ |
十年专营原装现货,假一赔十 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
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NXP |
26976 |
2018+ |
代理原装现货/特价热卖! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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NXP |
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BLS6采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BLS6图片
BLS6G2735L-30,112价格
BLS6G2735L-30,112价格：￥1232.7747品牌：NXP
生产厂家品牌为NXP的BLS6G2735L-30,112多少钱，想知道BLS6G2735L-30,112价格是多少？参考价：￥1232.7747。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BLS6G2735L-30,112批发价格及采购报价，BLS6G2735L-30,112销售排行榜及行情走势，BLS6G2735L-30,112报价。
BLS6G313520112中文资料Alldatasheet PDF
更多BLS6制造商:LITTELFUSE 制造商全称:Littelfuse 功能描述:Axial Lead and Cartridge Fuses- Special Midget
BLS6G2731-120功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLS6G2731-120,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLS6G2731-120112制造商:NXP Semiconductors 功能描述:N CH S-BAND LDMOS TRANSISTOR 32V 2700M
BLS6G2731-6G功能描述:射频MOSFET电源晶体管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLS6G2731-6G,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLS6G2731-6G112制造商:NXP Semiconductors 功能描述:N CH S-BAND LDMOS TRANSISTOR 32V 2700M
BLS6G2731P-200,117功能描述:射频MOSFET电源晶体管 WBAND 3.1GHz 32V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLS6G2731S-120功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLS6G2731S-120,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
