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BLL1214-250中文资料PDF规格书

BLL1214-250
厂商型号

BLL1214-250

参数属性

BLL1214-250 封装/外壳为SOT-502A;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A

功能描述

L-band radar LDMOS transistor

文件大小

79.3 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ROYAL PHILIPS
企业简称

Philips飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 22:30:00

BLL1214-250规格书详情

DESCRIPTION

Silicon N-channel enhancement mode lateral D-MOS transistor encapsulated in a 2-lead flange package (SOT502A) with a ceramic cap. The common source is connected to the flange.

FEATURES

• High power gain

• Easy power control

• Excellent ruggedness

• Source on mounting base eliminates DC isolators,

reducing common mode inductance.

APPLICATIONS

• L-band radar applications in the 1200 to 1400 MHz

frequency range.

产品属性

  • 产品编号:

    BLL1214-250R,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    1.2GHz ~ 1.4GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 输出:

    250W

  • 封装/外壳:

    SOT-502A

  • 供应商器件封装:

    SOT502A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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