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BLF8G22LS-160BV	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF8G22LS-160BV_15	文件：234.87 Kbytes Page：13 Pages	Power LDMOS transistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF8G22LS-160BV,11	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：SOT-1120B 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司	Ampleon
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更多BLF8G22LS-160BV供应商更新时间2024-5-8 20:31:00