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BLF6G22-180PN中文资料PDF规格书

BLF6G22-180PN
厂商型号

BLF6G22-180PN

参数属性

BLF6G22-180PN 封装/外壳为SOT-539A;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A

功能描述

Power LDMOS transistor

文件大小

91.73 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-3 22:30:00

BLF6G22-180PN规格书详情

General description

180 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 2000 MHz to 2200 MHz.

Features

■ Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 2110 MHz and 2170 MHz, a supply voltage of 32 V and an IDq of 1600 mA:

♦ Average output power = 50 W

♦ Power gain = 17.5 dB (typ)

♦ Efficiency = 27.5

♦ ACPR = −35 dBc

■ Easy power control

■ Integrated ESD protection

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (2000 MHz to 2200 MHz)

■ Internally matched for ease of use

■ Qualified up to a supply voltage of 32 V

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ RF power amplifiers for W-CDMA base stations and multicarrier applications in the 2000 MHz to 2200 MHz frequency range

产品属性

  • 产品编号:

    BLF6G22-180PN,135

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双),共源

  • 频率:

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    17.5dB

  • 功率 - 输出:

    50W

  • 封装/外壳:

    SOT-539A

  • 供应商器件封装:

    SOT539A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A

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