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更多BLD6G21LS-50,112功能描述:MOSFET N-CH 65V 10.2A Trans MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
BLD6G21LS-50,112
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
LDMOS(双),共源
- 频率:
2.02GHz
- 增益:
14.5dB
- 额定电流(安培):
10.2A
- 功率 - 输出:
8W
- 封装/外壳:
SOT-1130B
- 供应商器件封装:
CDFM4
- 描述:
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B