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3N150S	文件：306.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HM3N150A	文件：364.03 Kbytes Page：6 Pages	Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM3N150F	文件：427.84 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ISH3N150	文件：299.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS:1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-ResistanceRDS(on):	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA3N150HV	文件：155.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH3N150	文件：113.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH3N150	文件：371.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTJ3N150	文件：165.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ3N150M	文件：180.74 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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STFW3N150	文件：484.07 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFW3N150	文件：765.91 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFW3N150	文件：677.14 Kbytes Page：22 Pages	N-channel1500V,2.5A,6Ωtyp.,PowerMESHPowerMOSFETsinTO-3PF,H2PAK-2,TO-220andTO247packages Features •100avalanchetested •IntrinsiccapacitancesandQgminimized •Highspeedswitching •FullyisolatedTO-3PFplasticpackage,creepagedistancepathis5.4mm(typ.) Applications •Switchingapplications Description ThesePowerMOSFETsaredesignedusingtheSTMicroelectron	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFW3N150	文件：347.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingpower	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP3N150	文件：677.14 Kbytes Page：22 Pages	N-channel1500V,2.5A,6Ωtyp.,PowerMESHPowerMOSFETsinTO-3PF,H2PAK-2,TO-220andTO247packages Features •100avalanchetested •IntrinsiccapacitancesandQgminimized •Highspeedswitching •FullyisolatedTO-3PFplasticpackage,creepagedistancepathis5.4mm(typ.) Applications •Switchingapplications Description ThesePowerMOSFETsaredesignedusingtheSTMicroelectron	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市乐创天科技有限公司	BL3N150-B	BELLING上海贝岭	2022	TO-263	510	原装正品现货	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	BL3N150-B	BELLING上海贝岭	24+	TO-263	10000	原装正品	询价
深圳市川蓝电子科技有限公司	BL3N150-B	BELLING/上海贝岭	2224	TO-263	4000	原包装原标现货,假一罚十,	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	BL3N150-B	BELLING/上海贝岭	新批次	N/A	4326		询价
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深圳市百视威讯电子科技有限公司	BL3N150-B		23+	N/A	67000	一级代理放心采购	询价
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更多BL3N150-B供应商更新时间2024-6-10 14:30:00

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