BFU590Q 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 NXP/恩智浦

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1+	面议

厂家型号：
BFU590Q
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
NXP/恩智浦
库存数量：
18700
产品封装：
SOT89
生产批号：
2017+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-7 16:55:00

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详细信息
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原厂料号：BFU590Q品牌：NXP

BFU590Q是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商NXP/NXP USA Inc.生产封装SOT89/TO-243AA的BFU590Q晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
BFU590Q_15
规格书：
下载下载2
企业简称：
PHILIPS【飞利浦】详情
厂商全称：
ROYAL PHILIPS
中文名称：
荷兰皇家飞利浦
内容页数：
19 页
文件大小：
260.67 kb
资料说明：
NPN wideband silicon RF transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
BFU590QX
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8GHz
增益：
6.5dB
功率 - 最大值：
2W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 80mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89-3
描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3

供应商

企业：
千层芯半导体(深圳)有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
罗先生,张先生,吴小姐
手机：
13760152475/18998940267
询价：
电话：
0755-83978748/0755-23611964
传真：
0755-83268395
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大院2栋2层216-1

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BFU590Q

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